設(shè)備:高溫反偏測試系統(tǒng)HTXB GR3-D
廠商:閱芯科技
用途:用于功率半導(dǎo)體器件的環(huán)境老化試驗,比如 Si/SiC/GaN 材料的 IGBT/DIODE/MOSFET/HEMT/BJT/SCR 等器件的 HTRB 試驗。HTRB是在高溫下加上反向偏壓的工作模式,由于高溫下漏電流增加,質(zhì)量差的器件就會失效,以此評估產(chǎn)品的可靠性。
測試標(biāo)準(zhǔn):GJB128A-1997 方法 1038 條件A;MIL-STD-750F Method 1038 Test condition A
技術(shù)指標(biāo):
l 最大工作電壓2000V
l 測試溫度:-20℃-180℃
l ICES檢測范圍:0-98mA,分辨率0.1μA
地址:廣東省東莞市松山湖國家高新區(qū)總部一號12棟5樓
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